[15p-A502-1~18] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [15p-A502-11] 直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討

〇佐々木 龍耶¹、勝山 造¹、大礒 義孝¹、菊地 健彦¹、エイッサ モータズ¹、雨宮 智弘^1,2、西山 伸彦^1,2,3 (1.東工大院工、2.東工大未来研、3.PETRA)

キーワード：光集積回路、シリコンフォトニクス

光トランシーバの小型化・低消費電力化の実現には，集積化技術が重要となる．そこで，同一のエピウェハから特性の異なる直接接合GaInAsP/SOI光デバイスを作製するため，Si導波路幅での活性層光閉じ込め係数の制御範囲が大きいエピタキシャル層構造をシミュレーションを用いて計算した．その結果，超格子層厚を604 nm仮定すると，シリコン導波路幅を0~5 μmの範囲で調整することで光閉じ込め係数は，2.0~4.2 %の範囲で変化させることができた．