[15p-A502-1~18] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[15p-A502-6] UVオゾン親水化を用いたSOI基板上InP小片接合によるハイブリッドレーザの室温連続発振

〇菊地 健彦^1,2,3、黒川 宗高^1,2,3、藤原 直樹^1,2,3、井上 尚子^1,2,3、平谷 拓生^1,2、新田 俊之^1,2,3、御手洗 拓矢^1,2,3、伊藤 友樹^1,2、大礒 義孝³、西山 伸彦^1,3、八木 英樹^1,2,3 (1.PETRA、2.住友電工伝送デバイス研、3.東工大工)

キーワード：III-V/Siハイブリッド集積、レーザ、小片接合

III-V/Siハイブリッド集積は高速・低消費電力な次世代光集積回路の実現に有望であり、我々はこれまでにウェハ同士の表面活性化接合を用いたハイブリッドレーザを報告してきた。今回、多機能集積化に向けた小片接合技術として、UVオゾン親水化によるSOI基板上InP小片接合の検討を行い、それを用いてハイブリッドレーザを作製したので報告する。