[15p-A502-1~18] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [15p-A502-8] Ge₂Sb₂Te₃S₂に基づく不揮発性相変化中赤外光位相シフタの低損失化

〇(D)宮武 悠人¹、牧野 孝太郎²、富永 淳二²、宮田 典幸²、中野 隆志²、岡野 誠²、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：シリコンフォトニクス、相変化材料、光位相シフタ

本研究では、新たに開発したSeフリーのワイドギャップ相変化材料であるGe2Sb2Te3S2（GSTS）を用いて、中赤外領域で動作する低損失の不揮発性光位相シフタを実証した。 GSTSを用いた光位相シフタを波長2.34 μmで動作させることで、π位相シフトあたりの損失0.29 dB/πを達成した。これはシリコン光導波路上に集積された相変化光位相シフタとして最も低い損失である。