[15p-B401-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15p-B401-10] Highly integrated GaInN-based monolithic micro LED array with two active layers on the same substrate

〇Tatsunari Saito¹, Yuta Imaizumi¹, Tsuyoshi Nagawasa¹, Kenta Kobayashi¹, Yoshinobu Suehiro¹, Norikatsu Koide¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:micro LED, monolithic LED

RGB-モノリシック型μLEDアレイの実現のためには，垂直性の高いメサ加工技術,同一基板上に高集積なRGB-LED構造を実現することが必要である．過去の報告では垂直性の高いエッチングを用い，高垂直性,高集積,高効率な単一活性層μLEDアレイを報告した．本報告ではRGB-モノリシック型μLEDアレイの実現に向け,同一基板上に緑,青に発光する高垂直性・高集積なモノリシック型μLEDアレイを作製した.