[15p-B401-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15p-B401-3] Emission characteristics of multi-quantum-shell LEDs based on GaInN/GaN superlattice (SL) with a growth temperature variation

〇Souma Inaba¹, Weifang Lu², Sae Katsuro¹, Shima Ayaka¹, Ii Shiori¹, Takahashi Mizuki¹, Yamanaka Yuki¹, Kamiyama Satoshi¹, Takeuchi Tetsuya¹, Iwaya Motoaki¹ (1.Meijou Univ., 2.Xiamen Univ.)

Keywords:semiconductor, nitride, nanowire

ナノワイヤ及び多重量子殻活性層(MQS)を用いたLEDの研究を行っている。量子殻LEDは非極性面及び半極性面の活性層を用いることでピエゾ電界を0または極性面の1/3以下に低減することができるため、発光効率向上が期待されている。本研究では超格子(SL)の成長中の成長温度を変更させ、n-GaNからMQSへの点欠陥の伝搬抑制によるMQSの高品質化及びそれに伴うデバイス性能の影響を調査した。