[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-3] 成長温度を変化させたGaInN/GaN超格子(SL)を用いた多重量子殻LEDの発光特性

〇稲葉 颯磨¹、Lu Weifang²、勝呂 紗衣¹、島 綾香¹、伊井 詩織¹、高橋 美月¹、山中 優輝¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学、2.廈門大学)

キーワード：半導体、窒化物、ナノワイヤ

ナノワイヤ及び多重量子殻活性層(MQS)を用いたLEDの研究を行っている。量子殻LEDは非極性面及び半極性面の活性層を用いることでピエゾ電界を0または極性面の1/3以下に低減することができるため、発光効率向上が期待されている。本研究では超格子(SL)の成長中の成長温度を変更させ、n-GaNからMQSへの点欠陥の伝搬抑制によるMQSの高品質化及びそれに伴うデバイス性能の影響を調査した。