[15p-B508-1~18] 12.2 評価・基礎物性

[15p-B508-13] トンネル-ホッピング共存領域における単分子デバイスの熱起電力を記述する理論モデルの構築

〇大戸 達彦^1,2、Sohyun Park³、Jeong Woo Jo³、Jiung Jang³、Hyo Jae Yoon³、夛田 博一¹ (1.阪大院基礎工、2.JSTさきがけ、3.高麗大理)

キーワード：単分子、熱起電力

本研究では、散乱源となる仮想的な電極を導入してホッピング伝導度を記述するLandauer-Büttiker probe (LBP)法に温度プローブを追加することで、トンネル-ホッピング共存領域の電流と熱起電力の理論計算を行った。プローブ電極の電位と温度は線形応答が成り立つ範囲内で自己無撞着に求めることができるが、プローブ電位が線形に変化すると想定して広範囲の電流電圧曲線を求め、Transition Voltage Spectroscopy (TVS)を実験と理論で比較した。