[15p-B508-1~18] 12.2 評価・基礎物性

[15p-B508-8] Si-2x2単分子トランジスタの高周波応答

〇土畑 瑛嗣¹、西之坊 拓海¹、Yin Dongbao¹、石塚 風羽¹、新谷 亮²、真島 豊¹ (1.東工大 フロ研、2.阪大 基礎工)

キーワード：単分子トランジスタ、電子線リソグラフィー、半導体

電子線リソグラフィおよび無電解金ナノめっき技術により、分子長サイズのギャップを有するヘテロエピタキシャル球状Au/Ptナノギャップ電極を作製した。作製した電極のナノギャップ間にSi2x2骨格をもち、両末端にチオール基をもつ分子を導入することで単分子トランジスタ(SMT)を作製した。直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加した際の交流電流を測定し、一次微分コンダクタンスのドレイン電圧依存性によりSMTの高周波特性を検討した。