[15p-D411-1~14] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[15p-D411-2] 【Highlighted Presentation】Demonstration of vertical crystal phase junction transistor

〇Katsuhiro Tomioka¹, Yu Katsumi¹, Shun Kimura¹, Hironori Gamo¹, Junichi Motohisa¹ (1.GS-IST & RCIQE)

Keywords:nanowire, transistor

半導体材料における結晶相転移は、材料中の準安定構造を安定構造にすることができ、半導体のバンド構造を間接ギャップ型から直接ギャップ型に変化させることができるため、発光素子材料の新しい設計手法として注目を集めている[1]。結晶相転移は外因性ドーピングに関係なく、同じ材料中に相転移接合でエネルギー障壁を形成できる。しかしながら、接合面(積層面)に対して鉛直方向に電界変調する構造を作製することが、これまで困難であったため、相転移接合による電子素子応用については実証例がなかった。本研究では、独自の垂直ゲートオールアラウンド(Vertical gate-all-around: VGAA)構造作製技術を応用するすることで、結晶相転移接合(crystal phase junction: CPJ)を用いたトランジスタ素子動作を実証したので報告する。