[15p-D411-1~14] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[15p-D411-3] 近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導

〇(M2)中里 雄次¹、宮下 直也¹、山口 浩一¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、共鳴トンネリング

量子ドット(QD)の完全に離散化した量子準位を介した共鳴トンネル現象による単一電子および単一光子を制御した量子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、GaAs基板上に2重に近接積層したInAs QDの2層目QDを電極用ドットとして用い、1層目InAs QDへの局所的な電子注入を可能とした量子ドット共鳴トンネルダイオード(QD-RTD)を作製し、QDへの共鳴トンネル伝導特性を観測したので報告する。