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[15p-D411-9] (111) 単一量子ドットにおける価電子帯混合の効果:発光の偏光状態と正孔g因子の変化
キーワード:量子ドット、価電子帯混合
量子情報分野への応用を目指す上で,対象とする系のスピンg因子や偏光状態の調査は重要である.特に,(111) 面上の量子ドット [(111)-QD] は励起子微細構造分裂が小さく,もつれ光子対発生で有望視されているが,実験を進める中で価電子帯混合(重い正孔と軽い正孔の状態混合:VBM)がキャリアスピン物性に強く影響することが分かってきた.本研究では,VBMがGaAs (111)-QDの正孔g因子や偏光状態に及ぼす効果を実験・理論の両面から明らかにする.