[15p-D419-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[15p-D419-1] [分科内招待講演] エピタキシーフリー三軸結晶配向技術としての磁場配向法

〇堀井 滋¹ (1.京都先端科学大工)

キーワード：磁場配向、三軸結晶配向

機能性材料の高機能化や実用化に単結晶（３軸結晶配向制御）を必要とする物質は数多い。単結晶を得るには、通常エピタキシャル成長技術が用いられる。このようなエピタキシャル成長技術に加えて、新しい３軸結晶配向法として、物質の３軸結晶磁気異方性を利用した回転変調磁場(MRF) による磁場配向がある。当日は、三軸磁場配向の原理や磁場発生装置の詳細に加えて、3軸結晶磁気異方性をもつ高温超伝導物質を例に三軸磁場配向の実際について紹介する。