[15p-D419-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[15p-D419-5] スカルメルテ_イング法によるGa₂O₃単結晶成長時の熱流動解析

〇柿本 浩一¹、高橋 勲^1,2、富田 健稔²、木田 祐輔²、鎌田 圭^1,2、中野 智³、吉川 彰^1,2,4 (1.東北大学未来科学技術共同研究センター、2.(株)C＆A、3.九大応力研、4.東北大金研)

キーワード：酸化ガリウム、シミュレーション

これまで、Ga₂O₃単結晶の成長方法は種々報告されている。最近、高純度のGa₂O₃単結晶の成長方法として、スカルメルト法が高橋らにより報告されている。高品質の結晶育成のためには、結晶育成炉内の流動解析が必須である。本報告では、スカルメルト法を用いて、Ga₂O₃単結晶成長前、および成長中の結晶育成炉内の温度、流動解析を行った。