2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[15p-D511-1~11] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2023年3月15日(水) 13:30 〜 16:45 D511 (11号館)

鈴木 秀俊(宮崎大)、神山 栄治(GWJ)

16:15 〜 16:30

[15p-D511-10] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(22) 窒素複合体の濃度測定標準手続き

井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪府大 放射線研究センター)

キーワード:シリコン結晶、窒素、赤外吸収

窒素は測定法の標準化されたNNの他に色々な複合体を作り熱処理挙動やgrown-in欠陥形成の役割は異なる。そこで個別と全体の濃度を測定する必要がある。NO系はドナー濃度や電子遷移準位濃度測定が提案されたが、LVM赤外吸収の発見と同定(NO)O0-2, (ONO)O0-2が進んだ。また最近as-grownで大量のNi, 551 cm-1とVVNN,688 cm-1が見つかった。これらの測定を提案する。