[15p-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D511-6] 高濃度イオン注入/アニールSiCの表面幾何学構造の解明

〇石地 耕太朗¹、有田 誠²、足立 真理子³、和田 邑一⁴、山田 泰弘⁴、荒木 努⁴ (1.九州シンクロ、2.九州大、3.ナノフォトン、4.立命館大)

キーワード：炭化ケイ素、注入層構造、透過電子顕微鏡

高濃度イオン注入/アニール4H-SiCでは、アニール中の表面カーボンコーティングにもかかわらず、ストライプ状の幾何学的な表面パターンが形成された。このユニークな表面構造の原因を解明するため、深紫外ラマン分光と透過型電子顕微鏡を使って注入層の構造を調査した。その結果、注入層は3C双晶SiCとアモルファスSiCの混合構造であることが分かった。この混合構造が表面の幾何学構造の原因と考えられる。