[15p-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D511-7] シリコンのキャスト成長過程における非対称傾角粒界からの転位発生

〇大野 裕¹、吉田 秀人²、横井 達矢³、山腰 健太³、小島 拓人⁴、松永 克志³、Krenckel Patricia⁵、Riepe Stephan⁵、宇佐美 徳隆³ (1.東北大金研、2.阪大産研、3.名大院工、4.名大院情報、5.Fraunhofer ISE)

キーワード：非対称粒界、シリコン、転位源

キャスト成長中に非対称な再構成構造をもつ傾角粒界面が自発的に形成され、それらが効果的な転位発生源として働くことを見出した。再構成構造は低次の双晶界面と類似な原子配列のファセットで構成されており、ファセットの交線付近に数％の引張りひずみが存在した。この弾性ひずみの影響で低い熱応力でも転位が発生できるため、効果的な転位発生源として働くと考えられる。