[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-E102-10] Effect of annealing temperature and composition ratio on electrical characteristics of In-Ga-O thin-film transistor

〇Hikaru Hoshikawa¹, Takanori Takahashi¹, Mutsunori Uenuma¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:transparent Conductive Film, ferroelectric field-effect transistor, indium gallium oxide

三次元集積型強誘電体電界効果トランジスタ(3D-FeFET)は高速動作、低消費電力の観点から注目が集まっている。そこで我々は3D-FeFETのチャネル材料として、 In-Ga-O (IGO) に着目した。先行研究のIGOの組成比では高温熱処理に結晶化に伴う移動度の低下が確認されている。そこで本研究では、高温熱処理耐性を有する多結晶IGOの実現に向けて、最適なIn :Ga組成比を探索した。