[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-E102-14] Hetero Epitaxial Growth of α-Ga₂O₃/rh-ITO Structure and Demonstration of Its Deep Ultraviolet Photodetector

〇(DC)Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Takahiro Kato¹, Yoko Taniguchi¹, Kazutaka Kanegae¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Mist CVD, Photodetector

近年注目されているコランダム構造酸化物系の新たな電極材料としてコランダム構造を有する酸化インジウム錫(rh-ITO)に着目した。本研究ではrh-ITO上に同じくコランダム構造を有する酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)のヘテロエピタキシャル成長を試みた。α-Ga₂O₃とrh-ITOの格子ミスマッチを低減するためにヘマタイト(α-Fe₂O₃)バッファ層を挿入することでα-Ga₂O₃/rh-ITOヘテロ構造の成長に成功した。また、この構造を利用して深紫外フォトディテクタを試作し、その動作を実証した。