[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-14] α-Ga₂O₃/rh-ITO構造のヘテロエピタキシャル成長と深紫外フォトディテクタの試作

〇(DC)島添 和樹¹、西中 浩之¹、加藤 貴広¹、谷口 陽子¹、鐘ケ江 一考¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、フォトディテクタ

近年注目されているコランダム構造酸化物系の新たな電極材料としてコランダム構造を有する酸化インジウム錫(rh-ITO)に着目した。本研究ではrh-ITO上に同じくコランダム構造を有する酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)のヘテロエピタキシャル成長を試みた。α-Ga₂O₃とrh-ITOの格子ミスマッチを低減するためにヘマタイト(α-Fe₂O₃)バッファ層を挿入することでα-Ga₂O₃/rh-ITOヘテロ構造の成長に成功した。また、この構造を利用して深紫外フォトディテクタを試作し、その動作を実証した。