[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-E102-16] Identification of Killer Defects of (011) HVPE-grown β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes by High-Sensitive Emission Microscope and X-ray Topography

〇(B)Yuto Otsubo¹, Sayleap Sdoeung¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:leak current, killer defect, schottky barrier diode

β型酸化ガリウムは，4.5-4.8 eVの非常に大きなバンドギャップを持つ半導体で，次世代の低損失パワーデバイスの実現が期待されている．しかし，デバイスの耐圧特性を劣化させるキラー欠陥の低減が課題である．本研究では，(011)面にショットキーバリアダイオードを作製し，エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィを用いキラー欠陥を調べた．結果，(011)面でのキラー欠陥は多結晶欠陥であった．