[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-E102-17] [The 44th Young Scientist Award Speech] Thermal Stability of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ films on Sapphire Substrates

〇Riena Jinno¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:ultra-wide bandgap semiconductor, gallium oxide, structural phase transition

酸化アルミニウムガリウムは、Al組成の変化により5.4~8.8 eVの高エネルギー領域でバンドギャップ変調可能な超ワイドバンドギャップ材料であり、超ワイドバンドギャップ領域でのヘテロ構造を用いた応用が期待されている。Al₂O₃とGa₂O₃の最安定相はそれぞれα相とβ相と異なるため、酸化アルミニウムガリウムは理論的にAl組成0.7以下ではβ相、0.7以上ではα相がエネルギー的に安定である。α-(Al_xGa_1-x)₂O₃の応用において構造安定性は重要であり、本発表では、0≤x≤0.9での速度論的熱的安定性について報告する。