[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-17] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] サファイア基板上α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜の熱的安定性

〇神野 莉衣奈¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京都大学)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、構造相転移

酸化アルミニウムガリウムは、Al組成の変化により5.4~8.8 eVの高エネルギー領域でバンドギャップ変調可能な超ワイドバンドギャップ材料であり、超ワイドバンドギャップ領域でのヘテロ構造を用いた応用が期待されている。Al₂O₃とGa₂O₃の最安定相はそれぞれα相とβ相と異なるため、酸化アルミニウムガリウムは理論的にAl組成0.7以下ではβ相、0.7以上ではα相がエネルギー的に安定である。α-(Al_xGa_1-x)₂O₃の応用において構造安定性は重要であり、本発表では、0≤x≤0.9での速度論的熱的安定性について報告する。