[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-3] In₂O₃(ZnO)₃のバルク単結晶の育成及びその輸送特性

〇漆間 由都¹、井上 禎人¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：IZO、透明導電性酸化物、OFZ法

本研究では(In₂O₃)_m(ZnO)_n (m, nは自然数、以下IZO-mnと示す)で表される物質の1つであるIZO-13の加圧式Optical Floating Zone法によるバルク単結晶の育成方法の確立を目指した。またIZO-1nは同じ構造を持つ(InGaO₃)₁(ZnO)_nと比較して優位な電気的特性を見出せるため、得られた単結晶の電気輸送特性をIGZO-13と比較してその起源を追求することを目的とした。