[15p-E302-1~10] Emergence of novel superconducting device by spaciotemporal manipulation

[15p-E302-2] Development of Multi-pixel Gamma-Ray Transition-Edge Sensors with High Energy Resolution

〇Takahiro Kikuchi¹, Go Fujii¹, Ryota Hayakawa^1,2, Ryan Smith³, Fuminori Hirayama¹, Yasushi Sato¹, Satoshi Kohjiro¹, Masahiro Ukibe¹, Masashi Ohno³, Akira Sato¹, Hirotake Yamamori¹ (1.AIST, 2.Rikkyo Univ., 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:Transition-Edge Sensor, Gamma ray, spectroscopy

本研究では酸化シリコン(SiO₂)の層でSi_xN_y層を挟み込む三層膜（SiO₂/Si_xN_y/SiO₂）のメンブレンを製作した。その膜厚は合計7 umであり、従来の7倍程度厚く、重い吸収体を支えるのに適する。熱コンダクタンスは超伝導転移端センサ(TES)の動作温度0.1 Kで1.5 nW/K程度であり従来の値と遜色ない事を確認した。実際にTESを動作させ5画素読み出し4画素合算スペクトルでエネルギー分解能ΔE=43 eV@86 keVで近接Np-237(86.5 keV)とPa-233(86.6 keV)の分離に成功した。さらに4倍大きい吸収体を搭載し8画素を読み出し6画素で181 eV<ΔE<290 eV@320 keVの結果を得た。