[15p-PA01-1~58] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[15p-PA01-17] レーザー照射による異常ネルンスト効果の四端子測定

〇(B)望月 颯一郎¹、大林 尚文¹、杉浦 達²、塩田 陽一²、森山 貴広²、小野 輝男²、佐藤 琢哉¹、山田 貴大¹ (1.東工大理、2.京大化研)

キーワード：スピントロニクス、異常ネルンスト効果

磁性体の面内磁化とレーザー照射による面直方向の熱勾配の両方に垂直な方向に生じる異常ネルンスト効果による電圧を面内の二方向、四端子で測定した。試料は、Si基板上にCo(2 nm)/Pt(3 nm)を成膜したものをフォトリソグラフィによりホールバー状に加工した。面内磁化は外部磁場によって制御し、試料に対する磁場の角度を変化させながら測定した結果をもとに、この手法で磁化の面内成分を評価できることを示す。