[15p-PA01-1~58] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[15p-PA01-6] 磁性トポロジカル絶縁体素子の電圧制御磁化反転における書き込みエラー率の数値解析

〇小峰 啓史¹、綿引 詩門¹、千葉 貴裕² (1.茨城大工、2.福島高専)

キーワード：磁性トポロジカル絶縁体素子、電圧制御磁気異方性効果、スピン軌道トルク

FET型磁性トポロジカル絶縁体(MTI)素子における電圧制御磁化反転のマイクロマグネティックシミュレーションを行い，書き込みエラー率(WER)を解析した．本素子はMTI接合界面におけるスピン軌道トルク，及び，電圧制御磁気異方性効果により磁化制御が可能である．ゲートパルス形状や雑音がWER に及ぼす影響を解析したところ，本素子が電気ノイズに対して堅牢，かつ，非常に低いWERを示すことが明らかとなった．