[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[15p-PA05-1] Theoretical analysis of the mode of incorporation of nitrogen into antimony-coated GaP surfaces.

〇Shun One¹, Masashi Hikosaka¹, Akihiro Wakahara¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:first-principles calculations, Sb surfactant-mediated growth, point defect

III-V族希薄窒化物混晶中に添加したアンチモン(Sb)は表面偏析し母材結晶の発光特性や平坦性の改善につながると分かっている。しかしSb被覆GaP表面における成長様式に関しては知見が得られていないため第一原理計算により結晶性向上メカニズムを検討した。窒素と入れ替わったSbは表面に残留した方がエネルギー的に優位であることが分かりSbサーファクタント媒介成長における表面反応過程に関する知見を得られた。