2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2023年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 PA05 (ポスター)

16:00 〜 18:00

[15p-PA05-6] 低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価

〇(M1)梅田 皆友1、今林 弘殻1、塩島 謙次1、梅西 達哉2、富永 依里子2、行宗 詳規3、石川 史太郎3,4、上田 修5 (1.福井大院工、2.広大先進理工、3.愛媛大理工、4.北大量子集積、5.明治大)

キーワード:低温MBE成長GaAsBi、光電評価

低温成長(LTG)-GaAs は、テラヘル ツ時間領域分光法の光伝導アンテナとして用 いられる。本研究ではファイバーレーザ (λ= 1.5 μm) でのポ ンピ ングを 目指し 、 LTG-GaAsBi を分子線エピタキシー(MBE)法 により成長し、光電評価を行った。