[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15p-PA05-6] 低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価

〇(M1)梅田 皆友¹、今林 弘殻¹、塩島 謙次¹、梅西 達哉²、富永 依里子²、行宗 詳規³、石川 史太郎^3,4、上田 修⁵ (1.福井大院工、2.広大先進理工、3.愛媛大理工、4.北大量子集積、5.明治大)

キーワード：低温MBE成長GaAsBi、光電評価

低温成長(LTG)-GaAs は、テラヘル ツ時間領域分光法の光伝導アンテナとして用 いられる。本研究ではファイバーレーザ (λ= 1.5 μm) でのポ ンピ ングを 目指し 、 LTG-GaAsBi を分子線エピタキシー(MBE)法 により成長し、光電評価を行った。