[15p-PA06-1~4] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-PA06-1] X線逆格子空間マッピングによる方位が異なるカーボンドープシリコンナノワイヤ格子歪分布の検討

〇広沢 一郎^1,2、吉岡 和俊^2,3、渡辺 剛⁴、横川 凌^2,3、小椋 厚志^2,3 (1.九州シンクロトロン光研究センター、2.明大MREL、3.明治大理工、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード：シリコン、歪、ナノワイヤ

Si基板上に形成されたCドープSiナノワイヤにおいて[100]に平行に形成したナノワイヤの方が[110]に平行なナノワイヤよりも歪緩和が大きいことがX線逆格子空間マッピングにより示された。