[15p-PB03-1~15] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[15p-PB03-15] 酸化スズ薄膜の斜入射スパッタリング堆積における基板温度依存性

〇亀田 悠真¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大院工、2.関東学院大材料表面研)

キーワード：スパッタリング法、酸化スズ、斜入射堆積法

SnO₂はガスセンサー材料としてよく利用されている．本研究では，斜入射堆積スパッタリング法により離散的柱状構造を有するSnO₂薄膜を作製し，そのガスセンシング特性を調べることを目的とする．作製したSnO₂薄膜は，いずれも緻密な柱状構造であった．SnO₂膜の斜入射スパッタリングにおける基板加熱は，本研究の成膜圧力においては，結晶性および優先配向性の向上には有効であるが，離散的柱状構造化に対しては効果がないことが示された.