[15p-PB03-1~15] 8 Plasma Electronics (Poster)

[15p-PB03-4] Thermionic emission from n-type AlGaN surface with cesium and oxygen co-deposited at different temperature

〇Kai Namura¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Research & Development Center, Toshiba Corp.)

Keywords:Cesium, Thermionic Emission, n-type AlGaN

ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)の吸着およびCsと酸素の共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子発電用エミッタ応用が期待できる。本研究では、異なるエミッタ温度T_EでCsと酸素を共蒸着したSiドープn型AlGaN表面からの熱電子放出特性について報告する。