[15p-PB03-1~15] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[15p-PB03-4] 異なる温度でセシウムと酸素で共蒸着した n 型 AlGaN の熱電子放出特性

〇名村 海¹、木村 重哉²、吉田 学史²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝研究開発センター)

キーワード：セシウム、熱電子放出、n型AlGaN

ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)の吸着およびCsと酸素の共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子発電用エミッタ応用が期待できる。本研究では、異なるエミッタ温度T_EでCsと酸素を共蒸着したSiドープn型AlGaN表面からの熱電子放出特性について報告する。