[15p-PB03-1~15] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[15p-PB03-9] SF₆混合ガスプラズマによりフッ素終端した基板上でのMoS₂合成

〇荻野 明久¹、加藤 佑人¹ (1.静大院工)

キーワード：二硫化モリブデン、化学修飾、CVD

SF₆混合ガスプラズマによりフッ素終端したSi基板上でMoS₂をCVD合成し、基板表面に輸送される前駆体をフッ化揮発させて核密度の低減を試みた。また、フッ素終端による前駆体(MoO₃)の分解促進効果を評価するため、核密度とMoS₂ドメインサイズを評価した結果、フッ素終端していない成膜基板上で合成したMoS₂の核密度は数十個/μm²に対し、フッ素終端した基板上では核密度が最大1/60まで低減し、ドメインサイズが増大した。