[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-1] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InPフィン構造の作製

〇東 佑樹¹、木村 峻¹、蒲生 浩憲¹、本久 順一¹、冨岡 克広¹ (1.北大情報科学院)

キーワード：半導体、MOVPE