[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-2] パターン開口 Si 加工基板を用いた MBE 法による GaAs 系ナノワイヤ成長条件最適化

〇中間 海音^1,2、行宗 詳規³、峰久 恵輔^1,2、肥後 昭男⁴、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.愛媛大工、4.東大 d.lab)

キーワード：ナノワイヤ、分子線エピタキシー、加工基板