[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-3] MBE法を用いた無加工２インチSi基板上GaInNAsナノワイヤ成長

〇峰久 恵輔^1,2、橋本 英季^1,2、中間 海音^1,2、谷川 武瑠³、行宗 詳規³、石川 史太郎^1,2 (1.北大情報科学院、2.北大量集セ、3.愛媛大工)

キーワード：ナノワイヤ、分子線エピタキシー、GaInNAs