[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-6] 窒素δドープGaAs 中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究

〇矢野 裕子¹、高宮 健吾¹、藤川 沙千恵¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹、小林 真隆²、秋山 英文² (1.埼玉大院理工、2.東京大物性研)

キーワード：等電子トラップ、励起子分子発光

量子暗号通信に必要な量子もつれ光子対を生成するために，半導体中の単一等電子トラップによる励起子分子発光を利用する方法が提案され，励起子分子の束縛エネルギーは，正の場合と負の場合があることがわかっている．本研究では，様々な面方位のGaAs 基板上に作製した窒素δドープ構造中の等電子トラップによる励起子分子発光を測定し，束縛エネルギーの窒素原子対配列や面方位に対する依存性について検討した．