[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-8] (001)GaAs基板上のGaAs_1-xBi_x薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs_1-xBi_x薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田 修¹、池永 訓昭²、堀田 行紘³、高垣 佑斗³、西山 文隆³、行宗 詳規⁴、石川 史太郎⁵、富永 依里子³ (1.明治大、2.金沢工大、3.広島大、4.愛媛大、5.北海道大)

キーワード：GaAsBi、固相成長、欠陥

我々は、非晶質GaAs_1-xBi_x薄膜の固相成長を行い、薄膜中で形成される欠陥をTEM評価し、以下の結果を得た。1) 350 ℃で1 h SPE処理した薄膜では、上部及び下部がそれぞれ多結晶層および単結晶層となっている。また、epi/sub界面領域にのみ、As析出物 、Bi-rich GaAs_1-xBi_xおよびBi析出物が形成されている。2) 600 ℃で1 h SPE処理した薄膜では、全層単結晶となり、界面直上にのみBi-rich GaAs_1-xBi_xおよびBi析出物が観察された。