[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-1] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] SiC MOS反転層における電子散乱過程およびHall移動度のモデリング

〇田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：炭化ケイ素、MOS、移動度