[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-2] 酸窒化膜を用いた SiC MOSFET の反転層における主要なキャリア散乱機構の検証

〇野口 宗隆¹、渡邊 寛¹、喜多 浩之²、西川 和康¹ (1.三菱電機(株)、2.東大院新領域)

キーワード：SiC、MOSFET、反転層