[16a-A301-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16a-A301-9] Evaluation of interface properties in p-channel SiC MOSFETs by charge pumping method

〇(M2)Atsuhiro Akiba¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiC, Charge pumping

SiC MOSFETでは高密度の界面欠陥が問題となっており、MOS界面の多角的な評価が重要である。本研究では、チャージポンピング法およびその応用である3レベルチャージポンピング法を用いてpチャネルSiC MOSFETを評価した。その結果、界面欠陥の多くがSiCの伝導帯側に集中していることや、価電子帯側にも界面近傍酸化膜トラップ(NIT)が存在していることが示唆された。