[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-9] チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFETの界面特性評価

〇(M2)秋葉 淳宏¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：シリコンカーバイド、チャージポンピング

SiC MOSFETでは高密度の界面欠陥が問題となっており、MOS界面の多角的な評価が重要である。本研究では、チャージポンピング法およびその応用である3レベルチャージポンピング法を用いてpチャネルSiC MOSFETを評価した。その結果、界面欠陥の多くがSiCの伝導帯側に集中していることや、価電子帯側にも界面近傍酸化膜トラップ(NIT)が存在していることが示唆された。