[16a-A304-1~8] 13.9 化合物太陽電池

△ [16a-A304-2] 薄膜中間バンド型太陽電池におけるGaSb/GaAs量子リングの多積層化

〇樗木 悠亮^1,2、岡田 至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：中間バンド型太陽電池、GaSb/GaAs量子リング、光閉じ込め構造

量子ドット中間バンド型太陽電池は、中間準位を介した2段階光吸収により電流密度が増大し変換効率の向上が期待される。しかし従来のInAs/GaAs量子ドットでは積層数の増大に伴い開放電圧が低下することが課題となっていた。そこでGaSb/GaAs量子リングを用いた薄膜太陽電池を作製したところ、開放電圧を維持したまま9層から30層へ積層数を増やし電流密度を増大することができた。