[16a-A403-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16a-A403-10] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (7) - Consideration on τ_D -

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:MOS interface, charge pumping, single amphoteric defect

本講演ではタイプ1, 4, 6, 8, 9の単一欠陥を用いて，これらのDonorlike準位への伝導帯電子捕獲時定数τ_Dを求め，τ_Dが欠陥タイプや準位のエネルギー位置に依らずほぼユニバーサルなCP_V_Top（=V_LT+0.17 VでCP電流測定時のゲートパルス・オン電圧，V_LTは欠陥近傍の局所閾値電圧）依存性を有することを示し，その原因を考察する．