[16a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-A403-10] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τ_Dに関する考察 -

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：MOS界面、チャージポンピング、単一両性準位

本講演ではタイプ1, 4, 6, 8, 9の単一欠陥を用いて，これらのDonorlike準位への伝導帯電子捕獲時定数τ_Dを求め，τ_Dが欠陥タイプや準位のエネルギー位置に依らずほぼユニバーサルなCP_V_Top（=V_LT+0.17 VでCP電流測定時のゲートパルス・オン電圧，V_LTは欠陥近傍の局所閾値電圧）依存性を有することを示し，その原因を考察する．