[16a-A403-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [16a-A403-2] Characterization of Charge Noise in an nMOS Si Quantum Dot using RF Reflectometry

〇Yuto Arakawa¹, Kazuma Nakagoe¹, Ryutaro Matsuoka¹, Ryuta Tsuchiya², Toshiyuki Mine², Digh Hisamoto², Hiroyuki Mizuno², Raisei MIzokuchi¹, Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech, 2.R&D Group, Hitachi Ltd.)

Keywords:Si quantum dot, charge noise, RF reflectometry

シリコン量子ドットの電荷ノイズ特性を理解することで、シリコンスピン量子ビットの情報保持時間や操作精度の向上が期待できる。本研究では、高速で高感度なシリコン量子ビット測定に用いられる高周波反射測定法によりn-MOS型シリコン量子ドットの電荷ノイズを評価した。極低温下で高精度量子ビットに用いられる水準の雑音レベルを実現し、少数の二準位欠陥が支配していることを示唆するローレンツ型スペクトルを観測した。