[16a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-A403-9] MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：MOS界面、チャージポンピング、単一両性準位

昨年の春季および秋季講演会での5件の報告に引き続いて本講演では，Donorlike準位とAcceptorlike準位への連続的な伝導帯電子捕獲過程を有するタイプ6～9の単一界面欠陥を用いて，欠陥構造緩和素過程を測定評価し，その特徴を抽出すると共に構造緩和過程の物理を考える．