[16a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-B401-8] Photoluminescence lifetimes of red light emitting In_0.35Ga_0.65N/GaN quantum wells

〇Liyang Li¹, Kohei Shima¹, Daisuke Iida², Kazuhiro Ohkawa², Shigefusa F. Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Kaust)

Keywords:red-emission InGaN, strain-compensated quantum well, temperature dependence of photoluminescence lifetimes

歪み補償AlN / AlGaN障壁層を有するIn_0.35Ga_0.65N / GaN二重量子井戸(DQW)の時間分解フォトルミネッセンス（TRPL）測定を行い、PL寿命を測定した。100 K以下では温度上昇に従いPL寿命が増加したため、少なくとも輻射再結合寿命成分が含まれるPL寿命が観察されたと考えられる。極低温におけるPL寿命は数百nsであり、InGaN / GaN QWsの値より10倍以上長く、赤色発光QWsの方が強い量子閉じ込めシュタルク効果を受けていることが示唆された。100 K以上では温度上昇に従いPL寿命の減少が顕著となり、非輻射再結合が支配的になったと考えられる。講演ではPL寿命の温度依存性について議論する。