[16a-B414-1~10] 17.3 Layered materials

[16a-B414-1] [The 53rd Young Scientist Presentation Award Speech] Millimeter-scale and Lateral Hetero Growth of Transition Metal Dichalcogenides by Controlled Confined Space of Microreactor

〇Ryoki Hashimoto¹, Masaaki Misawa¹, Kenji Tsuruta¹, Yasumitsu Miyata², Yasuhiko Hayashi¹, Hiroo Suzuki¹ (1.Okayama Univ., 2.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenide, Optoelectronic device, Surface-diffusion limitted growth

二枚の合成基板から構築されるマイクロリアクタ内の閉じ込め空間での金属塩によるVapor-Liquid-Solid成長によって，単層WS₂を合成した．結晶サイズのアレニウス型活性化エネルギー，原料の表面拡散エネルギーの理論計算等から表面拡散律速成長を明らかにした．基板サイズを大きくし，原料拡散勾配による核生成密度の低減によって，WS₂のミリスケール化を達成した．二種類の原料を用いたWS₂/MoS₂面内ヘテロ成長についても報告する．