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[16a-B414-1] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] マイクロリアクタ内の閉じ込め空間制御による遷移金属ダイカルコゲナイドのミリスケール化と面内ヘテロ成長
キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、光電子デバイス、表面拡散律速成長
二枚の合成基板から構築されるマイクロリアクタ内の閉じ込め空間での金属塩によるVapor-Liquid-Solid成長によって,単層WS2を合成した.結晶サイズのアレニウス型活性化エネルギー,原料の表面拡散エネルギーの理論計算等から表面拡散律速成長を明らかにした.基板サイズを大きくし,原料拡散勾配による核生成密度の低減によって,WS2のミリスケール化を達成した.二種類の原料を用いたWS2/MoS2面内ヘテロ成長についても報告する.